摘要: 分三部分介绍了N型单晶硅底材,经高能电子束辐照掺碳后的表面区和N型六角晶体碳化硅(n-6HSiC)样品用X射线光电子谱及俄歇电子谱所作表面组分及化合态的分析测试过程,给出了测试结果,并对结果作了简单分析讨论。初步结果预示了电子辐照实现表面碳化、氧化的可能性。