摘要: 首先对目前国内Te、Cd、和Hg高纯材料在大气环境下配料、在油扩散泵真空系统下封装两个过程中由于原材料表面的自然氧化、吸附、原材料小颗粒或粉末之间贮存的气源等污染对原材料纯度的影响进行了分析计算和讨论。简单的估算表明,二次污染可使材料纯度低于6个9（用6N表示）。采用清洁真空系统后配料封装,即使真空度不高（或充保护气体）,二次污染的杂质浓度仍可低于10^-9量级。其次对739厂的Te、Cd（标称7N）原材料以及机电部第1411研究所提供的CMT (Cd_xHg_1-xTe)晶片分别进行了配料、封装的初步模拟实验和表面污染的实验分析。实验结果说明,配料和封装过程对材料Te的二次污染（主要是吸附和返油）影响不大;但对Cd材料污染十分严重,分析计算表明,碳、氧污染引起的杂质浓度较高。实验结果支持了第一部分中的计算结果。