摘要: 使用PHI-610型扫描俄歇谱仪,研究了Si基底上的多层金属薄膜Au/Ni,在不同退火温度下的冶金学行为。发现在380℃以下,薄膜及Si基底间无明显互扩散;而在380℃时,发生薄膜与Si基底间的相互扩散,Ni层不能作为Au与Si之间的扩散阻挡层。随着温度升高,Au与Si的相互扩散加剧,这种互扩散造成表面电阻的增加。在450℃时,薄膜中会形成一种Ni的硅化物。这种硅化物是在富Ni区和Si基底界面处形成,并随着富Au区中的Ni向硅化物的扩散而逐渐长大。